Общая информация | |
Производитель | Samsung |
---|---|
PN | M378A1G43EB1-CRC |
Тайминги | |
CAS Latency (CL) | 17 |
---|---|
RAS to CAS Delay (tRCD) | 17 |
Row Precharge Delay (tRP) | 17 |
Общие характеристики | |
Тип памяти | DDR4 |
---|---|
Форм фактор | DIMM |
Количество контактов | 288 |
Тактовая частота | 2400 МГц |
Пропускная способность | 19200 Мб/с |
Объем | 1 модуль 8Gb |
Дополнительно | |
Напряжение питания | 1.2 В |
---|